晶體管是用于放大或切換電子信號(hào)和電力的半導(dǎo)體器件，它由通常由至少三個(gè)引腳用于連接到外部電路的半導(dǎo)體材料組成，是
PCBA板中的重要電子元器件。晶體管主要分為雙極結(jié)晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管二大類。
一、雙極結(jié)晶體管（BJT）
雙極結(jié)晶體管，也稱為半導(dǎo)體三極管。是由于晶體管是通過(guò)使用大多數(shù)和少數(shù)載流子進(jìn)行，雙極結(jié)型晶體管是待批量生產(chǎn)的第一種類型的晶體管，是兩個(gè)結(jié)二極管的組合，并且由夾在兩個(gè)n型半導(dǎo)體之間的p型半導(dǎo)體薄膜（n-p- n型晶體管），或夾在兩個(gè)p型半導(dǎo)體（p-n-p晶體管）之間的n型半導(dǎo)體薄層。該結(jié)構(gòu)產(chǎn)生兩個(gè)p-n結(jié)：基極、發(fā)射極結(jié)和集電極結(jié)，被中間的基極區(qū)的半導(dǎo)體薄區(qū)隔開。
BJT具有對(duì)應(yīng)于三層半導(dǎo)體（發(fā)射極，基極和集電極）的三個(gè)端子。它們?cè)诜糯笃髦惺怯杏玫�，因�(yàn)榘l(fā)射極和集電極處的電流可以由相對(duì)較小的基極電流控制。在有源區(qū)工作的n-p-n晶體管中，發(fā)射極、基極結(jié)被正向偏置（電子和空穴在結(jié)上復(fù)合），電子被注入到基極區(qū)。由于基極窄，大部分這些電子將擴(kuò)散到反向偏置基極和集電極并被掃入集電極;也許百分之一的電子將在基極中重新組合，這是基極電流中的主導(dǎo)機(jī)制。通過(guò)控制可以離開堿的電子數(shù)，來(lái)控制進(jìn)入收集器的電子數(shù)。集電極電流約為基準(zhǔn)電流的β（共發(fā)射極電流增益）。對(duì)于小信號(hào)晶體管通常大于100，而在為大功率應(yīng)用設(shè)計(jì)的晶體管中可以更小。
與場(chǎng)效應(yīng)晶體管不同，BJT是一種低輸入阻抗器件。此外，隨著基極和發(fā)射極電壓（VBE）的增加，基極、發(fā)射極電流和集電極、發(fā)射極電流（ICE）根據(jù)Shockley二極管模型和Ebers-Moll模型呈指數(shù)增長(zhǎng)。由于這種指數(shù)關(guān)系，BJT具有FET更高的跨導(dǎo)。
雙極晶體管可以通過(guò)暴露于光下進(jìn)行導(dǎo)電，因?yàn)樵诨鶚O區(qū)域中對(duì)光子的吸收產(chǎn)生作為基極電流的光電流;集電極電流約為光電流的β倍。為此設(shè)計(jì)的器件在封裝中具有透明窗口，稱為光電晶體管。
二、場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）
場(chǎng)效應(yīng)晶體管主要用于在電子（在n溝道FET中）或空穴（p溝道FET）進(jìn)行導(dǎo)通。 FET的四個(gè)端子稱為源極，柵極，漏極和主體（襯底）。在大多數(shù)FET中，主體連接到封裝內(nèi)的源。
在FET中，漏極、源極電流通過(guò)將源極區(qū)域連接到漏極區(qū)域的導(dǎo)電溝道流動(dòng)。電導(dǎo)率通過(guò)在柵極和源極端子之間施加電壓時(shí)產(chǎn)生的電場(chǎng)而變化;因此在漏極和源極之間流動(dòng)的電流由施加在柵極和源極之間的電壓來(lái)控制。隨著柵極電壓（VGS）的增加，漏極、源極電流（IDS）在VGS低于閾值時(shí)呈指數(shù)增長(zhǎng)，然后以大致二次速率在閾值以上的“空間電荷限制”區(qū)域。在現(xiàn)代設(shè)備中沒(méi)有觀察到二次性，例如在65納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)。對(duì)于窄帶寬的低噪聲，F(xiàn)ET的較高輸入電阻是有利的。
晶體管在電路中常用的電子元器件有：二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管等，清楚的識(shí)別晶體管的類型是
PCBA加工制程中的基本技能。
